Derzeit wird der neuste Prozessor der Qualcomm-Serie weiterhin diversen Tests unterzogen bzw. auch unterschiedlichen Prototypen zur Verfügung gestellt, Angeblich sitzt der Quadcore sogar im neuen Galaxy S7 von Samsung, um hier ordentlich für den Alltag getestet werden zu können. Neue Benchmarkscrores aus Asien zeigen nun zu welchen Leistungen der Chip im Stande wäre.
Snapdragon 820 in Version 3 mit beeindruckenden Benchmark-Ergebnissen
Ob das nun die endgültige Leistung des Prozessors zu sein scheint, bleibt erst einmal abzuwarten, doch kann man dennoch davon ausgehen, dass diese weiterhin nach oben korrigiert werden kann. Denn auch der letzte, nun in Asien aufgetauchte, Test ist nicht mit der vollen Laufleistung des Snapdragon 820 Prozessors ausgefahren worden. Laut Spec-Sheet taktet der Snapdragon 820 auf bis zu 3.0 GHz, doch scheint der Quadcore hier diese Test mit maximal 2.2 GHz angegangen zu sein.
Die Ergebnisse lassen sich aber sehen. Anscheinend erreichte der Chip im Singlecore-Score etwas knapp über 2000 Punkte und liegt damit deutlich über dem Exynos 7420, muss sich Apples A9 Chip in dieser Disziplin aber geschlagen geben, welcher mit 2400 Punkten vorne liegt. Kommen allerdings alle vier Kerne zum Einsatz so erreicht der Snapdragon 820 V3 Prozessor knapp über 5900 Punkte und zerlegt damit nicht nur Apples Dualcore-CPU sondern auch den Achtkerner von Samsung. Natürlich soll auch die GPU einen enormen Schritt nach vorne machen, doch lässt sich dieses derzeit noch nicht ermitteln, da noch keine aussagekräftigen Ergebnisse ans Tageslicht gekommen sind.
Erwartet wird der Snapdragon 820 Prozessor für das nächste Jahr in diversen neuen Highend-Smartphones, darunter auch das immer wieder im Zusammenhang genannte Galaxy S7. Der Chip wird allerdings einiges an Konkurrenz erwarten dürfen, da ebenso Samsungs Exynos 8890, MediaTeks Helio X20 und sogar der Huawei-eigene Kirin 950 in den Startlöchern stehen. Alle diese Prozessoren sind enorm leistungsfähig und werden das Konkurrenzfeld deutlich enger aneinander schieben.