Di. 27. Dezember 2016 um 12:41

Galaxy S8 mit 8 GB RAM und UFS 2.1 Flashspeicher?

von Marcel Laser0 Kommentare

Mehr und mehr Power und das Galaxy S8 bildet hier wohl auch im nächsten Jahr keine Ausnahme. So soll es einen enormen Sprung beim Arbeitsspeicher geben und auch der interne Flashspeicher wird deutlich schneller als zuvor. Erwartet wird das Galaxy S8 zum MWC 2017, wobei einige Gerüchte einen etwas späteren Start Ende März bzw. Anfang April voraussagen wollen.

Galaxy S8 verdoppelt den RAM, bringt einen 10nm-SoC und schnellen Speicher

Damit dürfte Samsung, zumindest bis das iPhone 8 vorgestellt wird, eine deutliche Messlatte in Sachen Performance setzen. Während Apple wohl die 4 GB RAM so schnell nicht überschreiten wird (wenn überhaupt), so wird das Galaxy S8 nun schon länger mit richtig dicken 8 GB RAM in Verbindung gebracht. Auch ein ein neuer Post auf Weibo scheint dieses Gerücht noch einmal zu untermauern.

 

Des Weiteren soll der der verbaute Prozessor von Samsung die 10nm Strukturbreite erreichen und damit effizienter und schneller werden. Das gilt übrigens auch für den internen Flashspeicher, welcher schon im Galaxy S7 (edge) mit UFS 2.0 auftrumpfen konnte. Der Speicher im Galaxy S8 wird allerdings wohl auf UFS 2.1 aufgestockt, satte 256 GB Speicher bieten und damit deutlich schneller werden, als das Galaxy S7 war.

 

Rollen wir das Ganze noch einmal mit etwas älteren Gerüchten auf: Sehr wahrscheinlich sind auch wieder zwei Geräte geplant. Das kleinere kommt mit einem 5 Zoll Display und das grössere mit satten 6 Zoll. Allerdings soll sich beim grösseren Galaxy S8 das Chassis an sich nicht in der grösse Verändern. Erreicht wird das durch ein neues AMOLED-Display, welches fast die gesamte Front einnehmen soll. Der Fingerprintscanner wird entweder auf den Rücken wandern oder sogar ins Display integriert.


 

 

Quelle: Weibo (Chinesisch) via GSMArena (Englisch)

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